Imagem: Shutterstock
A Intel Corp. e a United Microelectronics Corporation (UMC) anunciaram hoje (30) uma colaboração no desenvolvimento de uma plataforma de processo de semicondutores de 12 nanômetros para atender a mercados de alto crescimento, como portáteis, infraestrutura de comunicação e rede.
O acordo de longo prazo reúne a capacidade de fabricação em escala dos EUA e a experiência em fundição da UMC em nós maduros para permitir um portfólio de processos expandido. Também oferece aos clientes globais maior escolha em suas decisões de obtenção de fornecimento com acesso a uma cadeia de fornecimento geograficamente mais diversificada e resiliente.
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“Taiwan tem sido uma parte crítica do ecossistema de semicondutores asiáticos e globais e de tecnologia mais ampla por décadas, e a Intel está comprometida em colaborar com empresas inovadoras em Taiwan, como a UMC, para ajudar a melhor atender aos clientes globais”, disse Stuart Pann, vice-presidente sênior e gerente geral da Intel Foundry Services (IFS).
O nó de 12 nm utilizará a capacidade de fabricação e a experiência de alto volume da Intel nos EUA no projeto de transistores FinFET, oferecendo uma forte combinação de maturidade, desempenho e eficiência energética. A produção se beneficiará marcadamente das décadas de liderança de processo da UMC e do histórico de fornecer aos clientes Kit de Projeto de Processo (PDK) e assistência de projeto para oferecer serviços de fundição de forma eficaz aos clientes.
O novo nó de processo será desenvolvido e fabricado nas Fabs 12, 22 e 32 na unidade de fabricação de tecnologia Ocotillo da Intel no Arizona. Aproveitar os equipamentos existentes nessas fabs reduzirá significativamente os requisitos de investimento antecipados e otimizará a utilização.
As duas empresas trabalharão para satisfazer a demanda dos clientes e cooperar na capacitação de projetos para dar suporte ao processo de 12 nm, permitindo automação de projetos eletrônicos e soluções de propriedades intelectuais de parceiros do ecossistema. A produção do processo de 12 nm está prevista para começar em 2027.
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